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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, ZH;  Cao, Q;  Zuo, YH;  Zheng, J;  Xue, CL;  Cheng, BW;  Wang, QM;  Zuo, YH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China,yhzuo@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao H;  Wang SM;  Zhao QX;  Sadeghi M;  Larsson A;  Zhao H Chalmers Photon Lab Dept Microtechnol & Nanosci SE-41296 Gothenburg Sweden. E-mail Address: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Shen, WJ;  Duan, Y;  Wang, J;  Wang, QY;  Zeng, YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zno  Mocvd  Thermal Annealing  Photoluminescence  X-ray Diffraction  Atomic Force Microscopy  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Photoluminescence  Mechanisms  Epitaxy  Cvd  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang P;  Chen NF;  Yin ZG;  Yang F;  Peng CT;  Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@mail.semi.ac.cn
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Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Ying-Qiang X;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RG;  Wang QM;  Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Sio2 Encapsulation  Rapid-thermal-annealing  Nitrogen Reorganization  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Mu-m  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Chen WD;  Chen CY;  Diao HW;  Zhang SB;  Xu YY;  Kong GL;  Liao XB;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Xu ZT;  Xu ZY;  Wang ZG;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LS;  Fong WK;  Surya C;  Cheah KW;  Zheng WH;  Wang ZG;  Surya C,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect & Informat Engn,Yuk Choi Rd,Hund Hom,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Wu J;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Wang WJ;  Yun F;  Xu Y;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GH;  Kong GL;  Zhao YW,Beijing Solar Energy Res Inst,Beijing 100083,Peoples R China.
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