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Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Surface Processes  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Gallium Compounds  Gan(0001) Surfaces  Reconstructions  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：967/314  |  提交时间：2010/08/12