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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang GD;  Zhu F;  Dong S;  Yang, GD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. guandongyang@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Wang, ZG;  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, T;  Zheng, K;  Wang, CL;  Ma, XY;  Lin, T, Xian Univ Technol, Dept Elect Engn, Xian 710048, Peoples R China. 电子邮箱地址: lintao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Tang L;  Wang YL;  Wang ZG;  Xu B;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangchl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CM;  Wang XL;  Hu GX;  Wang JX;  Xiao HL;  Li JP;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wudonghai@red.semi.ac.cn;  zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Qu YH;  Ni HQ;  Wu DH;  Xu YQ;  Niu ZC;  Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Wu JL;  Yin ZG;  Yu Y;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DJ;  Shen B;  Bi ZX;  Zhang KX;  Gu SL;  Zhang R;  Shi Y;  Zheng YD;  Sun XH;  Wan SK;  Wang ZG;  Shen B,Nanjing Univ,Natl Lab Solid State Microstruct,Nanjing 210093,Peoples R China.
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