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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang J;  You JB;  Chen CC;  Hsu WC;  Tan HR;  Zhang XW;  Hong ZR;  Yang Y;  Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Ren YY (Ren Y. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu YM (Liu Yu-Min);  Yu ZY (Yu Zhong-Yuan);  Yang HB (Yang Hong-Bo);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Liu, YM, Beijing Univ Posts & Telecommun, Sch Sci, Beijing 100876, Peoples R China. E-mail: liuyuminhqy@263.net
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 34 (5-8), FORTALEZA, BRAZIL, DEC 08-13, 2002
作者:  Wang ZG;  Wu J;  Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Inas Quantum Dots  Self-organization  Monolayer Coverage  Density  Gaas  Islands  Inp(001)  Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Wu J;  Wang ZG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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InGaas Gaas Quantum Dots  Infrared Absorption  Self-organization  X-ray-diffraction  Islands  Transitions  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Zhou W;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Zhou W;  Xu B;  Jiang WH;  Gong Q;  Ding D;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hzxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Zhuang QD;  Kong XW;  Wang ZG;  Daniels-Race T;  Li HX,Duke Univ,Dept Elect & Comp Engn,Durham,NC 27708 USA.
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