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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
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期刊论文 [2]
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1998 [2]
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期刊论文
作者:
Feng W (Feng W.)
;
Ding Y (Ding Y.)
;
Pan JQ (Pan J. Q.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Wang W (Wang W.)
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico.
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提交时间:2010/08/12
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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提交时间:2010/11/15
Electrical-properties
Ion-implantation
Regrowth
Silicon
Layers