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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wang X;  Wei DY;  Wang T;  Xu J;  Ma ZY;  Li W;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, BQ;  Zhu, MF;  Liu, FZ;  Liu, JL;  Zhou, YQ;  Li, GH;  Ding, K;  Zhou, BQ, Inner Mongolia Normal Univ, Coll Phys & Elect Informat, Hohhot 010022, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhoubq@imnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Min C (Cui Min);  Zhang WJ (Zhang Weija);  Wang TM (Wang Tianmin);  Jin F (Jin Fei);  Li GH (Li Guohua);  Ding K (Ding Kun);  Min, C, Beihang Univ, Sch Sci, Ctr Condensed Phys & Mat Phys, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xinzhu_hust@126.com;  weijia_zhang@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Diao HW (Diao Hong-Wei);  Hao HY (Hao Hui-Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liao XB (Liao Xian-Bo);  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang S;  Hu Z;  Raniero L;  Liao X;  Ferreira I;  Fortunato E;  Vilarinho P;  Perreira L;  Martins R;  Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. E-mail: sz@uninova.pt
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The study of high temperature annealing of a-SiC : H films 会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM III丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Aveiro, PORTUGAL, MAR 20-23, 2005
作者:  Zhang, S;  Hu, Z;  Raniero, L;  Liao, X;  Ferreira, I;  Fortunato, E;  Vilarinho, P;  Perreira, L;  Martins, R;  Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Silicon Carbide  High Temperature Annealing  Thin Film  Silicon  Pecvd  
Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD 会议论文
THIN SOLID FILMS, 395 (1-2), KANAZAWA, JAPAN, NOV 14-17, 2000
作者:  Feng Y;  Zhu M;  Liu F;  Liu J;  Han H;  Han Y;  Zhu M Chinese Acad Sci Grad Sch Dept Phys POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
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Poly-si  Structure  Hot-wire  Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (Pecvd)  Chemical-vapor-deposition  Microcrystalline Silicon  Hydrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng Y;  Zhu M;  Liu F;  Liu J;  Han H;  Han Y;  Zhu M,Chinese Acad Sci,Grad Sch,Dept Phys,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Y;  Yue RF;  Li GH;  Liao XB;  Wang YQ;  Diao HW;  Kong GL;  Yue RF,Tsing Hua Univ,Inst Microelect,Novel Devices Res Div,Beijing 100084,Peoples R China.
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