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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Xing HY
;
Fan GH
;
Zhang Y
;
Zhao DG
;
Fan GH S China Normal Univ Inst Optoelect Mat & Technol Guangzhou 510631 Guangdong Peoples R China. E-mail Address: hy.xing@yahoo.com.cn
;
gfan@scnu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Zhang SM
;
Liang JW
;
Li X
;
Li XY
;
Gong HM
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Han PD
;
Wang D
;
Yuan HR
;
Wang ZG
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
Algan/gan Superlattices
Resistivity
Hole Concentration
Polarization