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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang J;  Xu K;  Gong XJ;  Wang JF;  Fan YM;  Liu JQ;  Zeng XH;  Ren GQ;  Zhou TF;  Yang H
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Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Shen, WJ;  Duan, Y;  Wang, J;  Wang, QY;  Zeng, YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zno  Mocvd  Thermal Annealing  Photoluminescence  X-ray Diffraction  Atomic Force Microscopy  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Photoluminescence  Mechanisms  Epitaxy  Cvd  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Zhu YH;  Xia JB;  Zhang, XW, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：753/211  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GQ;  Sun P;  Zou Q;  Mei X;  Ruda HE;  Gu Q;  Yu XF;  Ren DY;  Yan RL;  Zhang GQ,Univ Toronto,Ctr Adv Nanotechnol,170 Coll St,Toronto,ON M5S 3E4,Canada.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shan YY;  Deng AH;  Ling CC;  Fung S;  Ling CD;  Zhao YW;  Sun TN;  Sun NF;  Shan YY,Univ Hong Kong,Dept Phys,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SZ;  Xie SW;  Pang QJ;  Zheng H;  Xia YX;  Ji RB;  Wu Y;  He L;  Zhu ZM;  Li GH;  Wang ZP;  Wang SZ,Shanghai Jiao Tong Univ,Dept Appl Phys,Lab Optoelect Mat & Optoelect Devices,Shanghai 200030,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu Z;  Li DZ;  Cheng BW;  Huang CJ;  Lei ZL;  Yu JZ;  Wang QM;  Liang JW;  Yu Z,Apt 3,83 Univ Gardens,Charlottesville,VA 22903 USA.
Adobe PDF(190Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/263  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC;  Xu GY;  He YL;  Liu M;  Li YX;  Peng YC,Hebei Univ,Coll Elect & Informat Engn,Baoding 071002,Peoples R China.
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Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Zhang W;  Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Coherent Islands  Gaas  Growth  Dots  Dislocations  Temperature  Mechanisms  Si(001)  Ingaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XL;  Lu DC;  Wang LS;  Wang XH;  Wang D;  Lin LY;  Liu XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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