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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Mao, RW
;
Tsai, CS
;
Yu, JZ
;
Wang, QM
;
Tsai, CS, Univ Calif Irvine, Dept Elect Engn & Comp Sci, Irvine, CA 92697 USA. 电子邮箱地址: rwmao@uci.edu
;
cstsai@uci.edu
;
qmwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Single steady frequency and narrow line width external cavity semiconductor laser
会议论文
ADVANCED CHARACTERIZATION TECHNIQUES FOR OPTICS, SEMICONDUCTORS, AND NANOTECHNOLOGIES, 5188, SAN DIEGO, CA, AUG 03-05, 2003
作者:
Zhao WR
;
Jiang PF
;
Xie FZ
;
Zhao WR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
External Cavity Semiconductor Laser
Light Feedback
Single Longitudinal Mode
Spectral Line Width
Feedback
Diode
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy
Ingaas Islands
Photolumineseence
Line-width
1.3 Mu-m
Inas/gaas Quantum Dots
Optical-properties
Cap Layer
Gaas
Luminescence
Strain