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氮化铝MEMS谐振器关键技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  杨健
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氮化铝  Mems  谐振器  有限单元法  压电系数测试  Icp刻蚀  
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd