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AlN厚膜单晶材料HVPE制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  韩东岳
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Aln  Hvpe  应力  流场  
蓝宝石衬底氮化铝材料HVPE生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  孔苏苏
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氮化铝 Hvpe 应力  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wang JX;  Zeng YP;  Li JM;  Yang Y;  Liu YL;  Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wei XC;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Yang, JK;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hvpe  Gan  Nitridation  Polarity  Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Zeng YP;  Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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