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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Li Z (Li Z.)
;
Li CJ (Li C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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提交时间:2010/04/11
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li, Z (Li, Z.)
;
Li, CJ (Li, C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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提交时间:2010/03/29
Dlts
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Inas/gaas Quantum Dots
Self-assembled Structure
Dlts
Pl
Band Offset
Energy-levels
Carrier Relaxation
Spectroscopy
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HL
;
Ning D
;
Zhu HJ
;
Chen F
;
Wang H
;
Wang XD
;
Feng SL
;
Wang HL,Chinese Acad Sci,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Inst Semicond,POB 912,Beijing,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Wang HL,Qufu Normal Univ,Dept Phys,Qufu 273165,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ho WY
;
Surya C
;
Tong KY
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Ho WY,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect Engn,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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浏览/下载:946/297
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Feng SL
;
Wang HL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen F
;
Feng SL
;
Zhao Q
;
Wang ZR
;
Feng SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: fengsl@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu LW
;
Zhang YH
;
Yang GW
;
Wang J
;
Ge WK
;
Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Integrated Optoelect Lab,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12