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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Gao F;  Li JB;  Zu XT;  Weber WJ;  Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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Dynamics of formation of defects in annealed InP 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Han YJ;  Liu XL;  Jiao JH;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Defects Formation  Hydrogen Related Defects  Semi-insulating  Inp  
Formation mechanism of defects in annealed InP 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:  Han YJ;  Liu XL;  Jiao JH;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Defects Formation  Hydrogen Related Defects  Semi-insulating  Inp