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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Yin HB;  Deng QW;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF (Hou Qi-Feng);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Xiao;  HL (Xiao Hong-Ling);  Wang CM (Wang Cui-Mei);  Yang CB (Yang Cui-Bai);  Li JM (Li Jin-Min);  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qfhou@semi.ac.cn
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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:  Leung BH;  Fong WK;  Surya C;  Lu LW;  Ge WK;  Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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Gan  Low-frequency Noise  Deep Levels  Deep Level Transient Fourier Spectroscopy  Devices  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Bell A;  Wang ZG;  Okada Y;  Kawabe M;  Harrison I;  Foxon CT;  Xu HZ,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu QS;  Nagai H;  Kawaguchi Y;  Hiramatsu K;  Sawaki N;  Zhu QS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nagai H;  Zhu QS;  Kawaguchi Y;  Hiramatsu K;  Sawaki N;  Nagai H,Matsushita Elect Ind Co Ltd,Kadoma,Osaka 571,Japan. 电子邮箱地址: sawaki@nuee.nagoya-u.ac.jp
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