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InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  smliu@semi.ac.cn
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Ingan/gan  多量子阱  太阳能电池  光电转换效率  
图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  张璐
Adobe PDF(5493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：890/69  |  提交时间：2017/06/01
Si  Gan  湿法腐蚀  Mocvd  半极性面  多量子阱  正装结构led  
Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王克超
Microsoft Word(21940Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：894/42  |  提交时间：2016/05/30
硅  氮化镓  外延  单芯片  白光led  湿法腐蚀  多量子阱  Mocvd  纳米线阵列  半极性面