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| LEC半绝缘GaAs中EL2缺陷的亚稳性和光恢复效应与深能级缺陷的性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1993
作者: (保)库意沃
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| Si-GaAs的电学补偿机理及微区均匀性对电子迁移率的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1992
作者: 戴元筠
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| 硅中热施主的红外光谱研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1988
作者: 郑捷飞
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| LEC-GaAs中几个重要缺陷中心的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1988
作者: 张芊
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| 非晶半导体超晶格的XTEM研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987
作者: 陆珉华
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| LEC-InP单晶的红外光谱研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987
作者: 张玉爱
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| 硅中与钯相关的Eta,Etb能级的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987
作者: 傅建明
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| LEC掺In-GaAs单晶中一种缺陷的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1985
作者: 何晖
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| Ti-Si系统硅化物形成及其化学键性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1985
作者: 李宝骐
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| III-V族和碳杂质对硅中热施主的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1984
作者: 高晓平
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