×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [17]
作者
谭平恒 [1]
金鹏 [1]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
李成明 [1]
文献类型
会议论文 [17]
发表日期
2005 [1]
2003 [5]
1999 [6]
1998 [5]
语种
英语 [17]
出处
AMORPHOUS ... [4]
QUANTUM CO... [3]
LUMINESCEN... [2]
APPLICATIO... [1]
ELECTRON M... [1]
GAN AND RE... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [17]
资助机构
Mat Res So... [6]
Mat Res So... [4]
Mat Res So... [3]
MRS. [1]
Mat Res So... [1]
Phys Elect... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Metal-free growth of Si/SiO2 nanowires by annealing SiOx (x < 2) films deposited by PECVD
会议论文
Group-IV Semiconductor Nanostructures丛书标题: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Boston, MA, NOV 29-DEC 02, 2004
作者:
Wang, XX
;
Zhang, JG
;
Wang, QM
;
Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(394Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1438/189
  |  
提交时间:2010/03/29
Silicon Nanowires
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:
Xu ZY
;
Luo XD
;
Yang XD
;
Tan PH
;
Yang CL
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(190Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1782/334
  |  
提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Gaas1-xnx
Photoluminescence
Relaxation
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(119Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1903/427
  |  
提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang SB
;
Liao XB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Luo MC
;
Kong G
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(93Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1827/428
  |  
提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Light-scattering
Thin-films
Si
Microcrystallinity
Absorption
States
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(47Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1609/302
  |  
提交时间:2010/10/29
Spectrum
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zeng XB
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Hu ZH
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
;
Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(683Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1627/333
  |  
提交时间:2010/10/29
Laser-ablation
Semiconductor Nanowires
Growth
Mechanism
Evaporation
Diameter
Wires
Light-induced change of Si-H bond absorption in hydrogenated amorphous silicon
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Yue GZ
;
Chen LF
;
Wang Q
;
Iwaniczko E
;
Kong GL
;
Baugh J
;
Wu Y
;
Han DX
;
Yue GZ Acad Sinica Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:1199/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Vibrational-spectra
Light-excited structural instability of a-Si : H.
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Kong GL
;
Zhang DL
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Liao XB
;
Kong GL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:1105/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Hydrogenated Amorphous-silicon
Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
He J
;
Ma ZX
;
Yue GZ
;
Shen SR
;
Kong GL
;
Zhao YW
;
Li ZM
;
Yun F
;
Wang YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(958Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1342/287
  |  
提交时间:2010/10/29
Amorphous-silicon
Crystallization
Transistors
High quality hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Sheng SR
;
Liao XB
;
Ma ZX
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Kong GL
;
Sheng SR Chinese Acad Sci State Lab Surface Phys Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(390Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1469/281
  |  
提交时间:2010/10/29
A-si-h
Light Soaking
Photoconductivity
Increase