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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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提交时间:2011/08/04
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
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王国宏
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张会肖
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王军喜
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张扬
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
陈媛媛
;
李艳萍
;
余金中
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
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提交时间:2010/11/23
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段瑞飞
;
刘喆
;
钟兴儒
;
魏同波
;
马平
;
王军喜
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曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11