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无权访问的条目 期刊论文
作者:  T. D. C. Higgs;  S. Bonetti;  H. Ohldag;  N. Banerjee;  X. L. Wang;  A. J. Rosenberg;  Z. Cai;  J. H. Zhao;  K. A. Moler;  J. W. A. Robinson
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  F. Liang;  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  Z. J. Zhao;  Z. S. Liu;  J. J. Zhu;  J. Yang;  L. C. Le;  W. Liu;  X.G. He;  X. J. Li;  X Li;  S. T Liu;  H. Yang;  J. P. Liu;  L. Q. Zhang;  Y. T. Zhang;  G. T. Du
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  J. J. Zhu;  Z. S. Liu;  J. Yang;  X. Li;  L. C. Le;  X. G. He;  W. Liu;  X. J. Li;  F. Liang;  B. S. Zhang;  H. Yang;  Y. T. Zhang;  G. T. Du
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. Liu;  D. Lu;  R. Zhang;  L. Zhao;  W. Wang;  R. Broeke;  C. Ji
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  P. Y. Zhou;  X. F. Wu;  K. Ding;  X. M. Dou;  G. W. Zha;  H. Q. Ni;  Z. C. Niu;  H. J. Zhu;  D. S. Jiang;  C. L. Zhao;  B. Q. Sun
Adobe PDF(1502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：275/4  |  提交时间：2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN;  J. J. ZHU;  J. YANG;  L. C. LE;  W. LIU;  X. G. HE;  X. J. LI;  F. LIANG;  L. Q. ZHANG;  J. Q. LIU;  H. YANG
Adobe PDF(984Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：313/2  |  提交时间：2016/03/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nie, S. H.;  Chin, Y. Y.;  Liu, W. Q.;  Tung, J. C.;  Lu, J.;  Lin, H. J.;  Guo, G. Y.;  Meng, K. K.;  Chen, L.;  Zhu, L. J.;  Pan, D.;  Chen, C. T.;  Xu, Y. B.;  Yan, W. S.;  Zhao, J. H.
Adobe PDF(1707Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：634/137  |  提交时间：2014/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JC (Zhang, J. C.);  Liu FQ (Liu, F. Q.);  Wang LJ (Wang, L. J.);  Zhao LH (Zhao, L. H.);  Liu WF (Liu, W. F.);  Liu JQ (Liu, J. Q.);  Li L (Li, L.);  Wang ZG (Wang, Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao CW (Zhao C. W.);  Xing YM (Xing Y. M.);  Yu JZ (Yu J. Z.);  Han GQ (Han G. Q.)
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide