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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, WJ (Li, Weijie);   Mu, JW (Mu, Jingwei);   Huang, SY (Huang, Shaoyun);   Pan, D (Pan, Dong);   Zhao, JH (Zhao, Jianhua);   Xu, HQ (Xu, H. Q.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, C;  Xu, WY;  Zhao, JW;  Lin, J;  Chen, Z;  Cui, Z
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WR;  Zhao, JF;  Long, M;  Zhang, XW;  Liu, QS;  Hou, MY;  Kang, Q;  Wang, YR;  Xu, SH;  Kong, WJ;  Zhang, H;  Wang, SF;  Sun, YQ;  Hang, HY;  Huang, YP;  Cai, WM;  Zhao, Y;  Dai, JW;  Zheng, HQ;  Duan, EK;  Wang, JF
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ke JH (Ke Jian Hong);  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhao LJ (Zhao Ling Juan);  Chen W (Chen Wei);  Wang X (Wang Xin);  Liu Y (Liu Yu);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, NH, CAS, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1272/230  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓懿;  赵德刚;  吴亮亮;  刘宗顺;  朱建军;  江德生;  张书明;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ke JH;  Zhu NH;  Xie LA;  Zhao LJ;  Man JW;  Sun K;  Wang LX;  Chen SF;  Liu JG;  Zhang Y;  Wang W;  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(692Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1219/353  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang HG;  Zhu NH;  Man JW;  Ke JH;  Zhang BH;  Han W;  Chen W;  Yuan HQ;  Wang X;  Xie L;  Zhao LJ;  Wang W;  Zhang HG CAS Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn
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提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
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