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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Geng, C
;
Yan, QF
;
Du, CX
;
Dong, P
;
Zhang, LJ
;
Wei, TB
;
Hao, ZB
;
Wang, XQ
;
Shen, DH
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Jia LH
;
Chen XF
;
Kong DH
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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浏览/下载:986/240
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong DH
;
Zhu HL
;
Liang S
;
Zhang HG
;
Sun Y
;
Wang H
;
Zhang W
;
Zhao LJ
;
Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn
;
Liangsong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1097/251
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding Y
;
Fan WJ
;
Xu DW
;
Tong CZ
;
Yoon SF
;
Zhang DH
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Liu Y
;
Zhu NH
;
Ding Y Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: yding@ntu.edu.sg
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浏览/下载:1306/370
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Chen XF
;
Kong DH
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Liu Y
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan21@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen DB
;
Zhu HL
;
Liang S
;
Wang BJ
;
Zhang YL
;
Liu Y
;
Kong DH
;
Zhang W
;
Wang H
;
Wang LS
;
Sun Y
;
Zhang YX
;
Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:1208/411
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提交时间:2010/03/08
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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浏览/下载:1555/248
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
;
Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nihq@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
方志丹
;
倪海桥
;
韩勤
;
龚政
;
张石勇
;
佟存柱
;
彭红玲
;
吴东海
;
赵欢
;
吴荣汉
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浏览/下载:1899/227
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao H
;
Xu YQ
;
Ni HQ
;
Zhang SY
;
Wu DH
;
Han Q
;
Wu RH
;
Niu ZC
;
Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11