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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
李冠鹏
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王辉
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张邦宏
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杨惠霞
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谢亮
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提交时间:2018/07/09
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期刊论文
作者:
Li, HJ
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Liu, CB
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Liu, GP
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Wei, HY
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Jiao, CM
;
Wang, JX
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Zhang, H
;
Jin, DD
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Feng, YX
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Yang, SY
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Wang, LS
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Zhu, QS
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Zhang, H
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Wang, JX
;
Jin, DD
;
Li, HJ
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/05/11
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期刊论文
作者:
Zhang, YY
;
Kan, Q
;
Wang, GP
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Zhang, JF
;
Li, Y
;
Yan, R
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Liu, GP
;
Nie, YH
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Zhang, JC
;
Hao, Y
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Zhang, GP
;
Gao, M
;
Zhang, YY
;
Liu, N
;
Qin, ZJ
;
Shangguan, MH
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
Xu, D
;
Zhang, C
;
Lin, YH
;
Jiao, L
;
Yuan, HM
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Zhao, GP
;
Cheng, XN
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu GP (Liu Guipeng)
;
Wu J (Wu Ju)
;
Lu YW (Lu Yanwu)
;
Zhang BA (Zhang Biao)
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Li CM (Li Chengming)
;
Sang L (Sang Ling)
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Song YF (Song Yafeng)
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Shi K (Shi Kai)
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Liu XL (Liu Xianglin)
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Yang SY (Yang Shaoyan)
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Zhu QS (Zhu Qinsheng)
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Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2012/02/22
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张一心
;
李朝勇
;
李光平
;
何秀坤
;
卢存刚
;
李祖华
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提交时间:2010/11/23