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中国科学院半导体研究所机构知识库
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提交时间:2013/09/17
Co2MnAl向半导体自旋极化注入研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
袁思芃
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提交时间:2012/07/05
自旋电子学
自旋注入
半金属
自旋探测
自旋发光二极管
一种高极化度自旋注入与检测结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136535A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-27, 2012-08-29
发明人:
袁思芃
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提交时间:2012/08/29