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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Li JB
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Sun XL
;
Wu RH
;
Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Cubic Gan
Buffer Layer
Atomic Force Microscopy
Reflection High-energy Electron Diffraction
Movpe
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Li JB
;
Li SF
;
Wang YT
;
Zhao DG
;
Wu RH
;
Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100864,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
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作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Li JB
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Sun XL
;
Wu RH
;
Xu DP,Chinese Acad Sci,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Inst Semicond,Beijing 100864,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12