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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
作者
江德生 [1]
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1999 [1]
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
;
Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Improved Luminescence Efficiency
Temperature
Photoluminescence
Nitrogen
Origin
Diodes
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
;
Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Sio2 Encapsulation
Rapid-thermal-annealing
Nitrogen Reorganization
Molecular-beam Epitaxy
Optical-properties
Mu-m
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Sun BQ
;
Bian L
;
Li LH
;
Pan Z
;
Wu RG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Luminescence
Localization
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhang W
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang RK
;
Lin YW
;
Wu RG
;
Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Gainnas
Photodetector
Resonant Cavity Enhanced
High Speed Property
Molecular-beam Epitaxy
Schottky Photodiodes
Performance
Efficiency
Operation
Bandwidth
Design
Si
Hybrid CMOS/VCSEL optoelectronic modules
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Chen HD
;
Mao LH
;
Tiang J
;
Liang K
;
Du Y
;
Huang YZ
;
Wu RG
;
Feng J
;
Ke XM
;
Liu HY
;
Wang ZG
;
Li SR
;
Li ZY
;
Guo WL
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Vcsel
Cmos
Mcm
Optoelectronic Integration
Smart Pixels
Optical Interconnects
Smart
Multiple quantum well self electro-optic effect devices for optoelectronic smart pixels
会议论文
OPTOELETRONIC INTEGRATED CIRCUITS AND PACKAGING III, 3631, SAN JOSE, CA, JAN 28-29, 1999
作者:
Chen HD
;
Wu RG
;
Chen ZB
;
Zhang Y
;
Du Y
;
Zeng QM
;
Li XJ
;
Zhang YM
;
Zhou G
;
Hua F
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Seed Arrays
Smart Pixels
Hybrid Integration
Optical Interconnects
Vlsi Switching Chip
Mqw Modulators
Silicon Cmos
Circuits
Arrays
Operation
Detectors
Receivers
Progress
无权访问的条目
期刊论文
作者:
GE WK
;
WU RG
;
GE WK CHINESE ACAD SCIINST SEMICONDBEIJINGPEOPLES R CHINA
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提交时间:2010/11/15