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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Y (Chen Yan);  Deng AH (Deng Ai-Hong);  Tang B (Tang Bao);  Wang GW (Wang Guo-Wei);  Xu YQ (Xu Ying-Qiang);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang GW (Wang Guo-Wei);  Xu YQ (Xu Ying-Qiang);  Guo J (Guo Jie);  Tang B (Tang Bao);  Ren ZW (Ren Zheng-Wei);  He ZH (He Zhen-Hong);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangguowei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ (Gai, Yanqin);  Li JB (Li, Jingbo);  Li SS (Li, Shu-Shen);  Xia JB (Xia, Jian-Bai);  Yan YF (Yan, Yanfa);  Wei SH (Wei, Su-Huai);  Gai, YQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn;  swei@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Li SS;  Xia JB;  Wei SH;  Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn;  swei@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB;  Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  陈慧娟;  彭震宇;  鲁正雄;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛陆虹;  李伟;  陈弘达;  高鹏;  孙增辉;  陈永权
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SM;  Gu QF;  Wei YQ;  Sadeghi M;  Larsson A;  Zhao QX;  Wang XD;  Ma CH;  Xing ZG;  Wang, SM, Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: shumin.wang@mc2.chalmers.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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