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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
X. P. Zhao
;
J. Lu
;
S. W. Mao
;
Z. F. Yu
;
D. H. Wei
;
J. H. Zhao
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提交时间:2020/07/31
无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. P. Zhao
;
J. Lu
;
S. W. Mao
;
Z. F. Yu
;
D. H. Wei
;
J. H. Zhao
Adobe PDF(925Kb)
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2019/11/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
H. Peng, J. Li, S. H. Wei
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浏览/下载:499/155
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ning JQ (Ning J. Q.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Wei ZF (Wei Z. F.)
;
Ruan XZ (Ruan X. Z.)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Zheng HZ (Zheng H. Z.)
;
Liu HC (Liu H. C.)
;
Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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浏览/下载:1568/536
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提交时间:2010/12/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:1313/348
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou WZ (Zhou W. Z.)
;
Lin T (Lin T.)
;
Shang LY (Shang L. Y.)
;
Yu G (Yu G.)
;
Gao KH (Gao K. H.)
;
Zhou YM (Zhou Y. M.)
;
Wei LM (Wei L. M.)
;
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Guo SL (Guo S. L.)
;
Chu JH (Chu J. H.)
;
Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn
;
jhchu@mail.sitp.ac.cn
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浏览/下载:1815/302
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提交时间:2010/06/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, HY (Wei, H. Y.)
;
Cong, GW (Cong, G. W.)
;
Zhang, PF (Zhang, P. F.)
;
Hu, WG (Hu, W. G.)
;
Wu, JJ (Wu, J. J.)
;
Jiao, CM (Jiao, C. M.)
;
Liu, XL (Liu, X. L.)
;
Zhu, QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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浏览/下载:1110/391
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei JS (Wei J. S.)
;
Wang RZ (Wang R. Z.)
;
Yuan RY (Yuan R. Y.)
;
Song XM (Song X. M.)
;
Wang B (Wang B.)
;
Yan H (Yan H.)
;
Wang, RZ, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100022, Peoples R China. E-mail: wrz@bjut.edu.cn
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浏览/下载:857/258
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Hao XP (Hao X. P.)
;
Wei L (Wei L.)
;
Li X (Li X.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王宝军
;
朱洪亮
;
赵玲娟
;
王圩
;
潘教青
;
梁松
;
边静
;
安心
;
王伟
;
周代兵
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提交时间:2011/08/31