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量子点中间带和黑硅太阳电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  王科范
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1135Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1323/386  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1549/248  |  提交时间：2012/09/09
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
发明人:  王科范;  刘孔;  曲胜春;  王占国
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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1653/248  |  提交时间：2011/08/31
一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人:  王科范;  张华荣;  彭成晓;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：850/93  |  提交时间：2014/11/17
硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:  王科范;  彭成晓;  刘孔;  谷城;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：953/81  |  提交时间：2014/12/25
一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1359/79  |  提交时间：2011/08/31