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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Wang YG
;
Ma XY
;
Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. chinawygxjw@hotmail.com
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen W
;
Xing MX
;
Ren G
;
Wang K
;
Du XY
;
Zhang YJ
;
Zheng WH
;
Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ren G
;
Zheng WH
;
Zhang YJ
;
Wang K
;
Du XY
;
Xing MX
;
Chen LH
;
Ren, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gren@mail.semi.ac.cn
;
whzheng@semi.ac.cn
;
yjzhang@semi.ac.cn
;
wangke@semi.ac.cn
;
duxy@semi.ac.cn
;
mxxing@semi.ac.cn
;
chenlh@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ren G
;
Zheng WH
;
Wang K
;
Du XY
;
Xing MX
;
Chen LH
;
Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, JY
;
Tan, HM
;
Wang, YG
;
Ma, XY
;
Miao, JG
;
Wang, BS
;
Qian, LS
;
Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
;
Guo, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lcguo@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du XY
;
Zheng WH
;
Ren G
;
Wang K
;
Xing MX
;
Chen LH
;
Du, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
Optimized design on high-power GaN-based Micro-LEDs - art. no. 684108
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Fan, JM
;
Wang, LC
;
Guo, JX
;
Yi, XY
;
Liu, ZQ
;
Wang, GH
;
Li, JM
;
Fan, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan-based Led
Micro-leds
Light Extraction Efficiency
Ray Tracing
Flip-chip