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| a面AlGaN基深紫外LED关键材料制备研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 蔡听松
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ting,C; Gang,W,Han,WP; Ye,HQ
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡东伟; 陈杰; 石寅; 潘申富; 汪春霆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邬文锦; 王红武; 陈绍江; 郭婷婷; 王守觉; 苏谦; 孙明; 安冬
Adobe PDF(237Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1328/277 | 提交时间：2011/08/16 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(573Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1750/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 沈海波; 郭亨群; 王国立; 王加贤; 吴志军; 宋江婷; 徐骏; 陈坤基; 王启明
Adobe PDF(244Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1587/396 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋江婷; 郭亨群; 王加贤; 吴志军; 王国立; 沈海波; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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