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中国科学院半导体研究所机构知识库
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提交时间:2019/11/18
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
陶东言
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提交时间:2015/05/29
稀磁半导体
Gan
Gasb
表面钝化
肖特基器件
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提交时间:2013/09/17
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提交时间:2013/09/22
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提交时间:2014/03/17
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提交时间:2013/03/27