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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Meng LG
;
Yu YX
;
Luan CB
;
Cao ZF
;
Chen H
;
Sun BQ
;
Wang ZG
;
Lin, ZJ (reprint author), Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China, linzj@sdu.edu.cn
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen DB
;
Zhu HL
;
Liang S
;
Wang BJ
;
Zhang YL
;
Liu Y
;
Kong DH
;
Zhang W
;
Wang H
;
Wang LS
;
Sun Y
;
Zhang YX
;
Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:1208/411
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提交时间:2010/03/08
Fabrication and Investigation of High Efficiency Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Zhang YX
;
Liao ZY
;
Sun Y
;
Chen WX
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Optimization
An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser
会议论文
AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, OCT 17-19, 2007
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Cheng YB
;
Chen D
;
Zhang W
;
Wang LS
;
Zhang YX
;
Sun Y
;
Wang W
;
Wang, H, CAS, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1445/276
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xin G
;
Sun, GS
;
Li JM
;
Zhang YX
;
Lei W
;
Zhao WS
;
Zeng YP
;
Xin, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gaoxin@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵万顺
;
王雷
;
张永兴
;
曾一平
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提交时间:2010/11/23
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1619/208
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Lpcvd Homoepitaxial Growth
Thermal Oxidization
Mos Structures
Hot-wall Cvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄大定
;
李建平
;
高斐
;
林燕霞
;
孙殿照
;
刘金平
;
朱世荣
;
孔梅影
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Wang J
;
Zhao DG
;
Feng G
;
Fu Y
;
Zhang SM
;
Zhang ZH
;
Feng ZH
;
Bai YX
;
Yang H
;
Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12