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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
X. F. Liu
;
z G. G. Yan
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Z. W. Shen
;
Z. X.Wen
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L. X. Tian
;
W. S. Zhao
;
L. Wang
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M. Guan
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F. Zhang
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G. S. Sun
;
Y. P. Zeng
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提交时间:2018/06/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. Y. Zhou
;
R. Zhang
;
J. P. Sun
;
Y. L. Zou
;
D. Zhang
;
W. K. Lou
;
F. Cheng
;
G. H. Zhou
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F. Zhai
;
Kai Chang
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提交时间:2016/04/08
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期刊论文
作者:
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
;
K. Ding
;
X. M. Dou
;
G. W. Zha
;
H. Q. Ni
;
Z. C. Niu
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H. J. Zhu
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D. S. Jiang
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C. L. Zhao
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B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Dong JJ (Dong J. J.)
;
Gao HL (Gao H. L.)
;
Si FT (Si F. T.)
;
Sun SS (Sun S. S.)
;
Tao Y (Tao Y.)
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提交时间:2012/02/21
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期刊论文
作者:
鞠昱
;
谢亮
;
韩威
;
孙可
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, Y.F.
;
Sun, J.D.
;
Zhou, Y.
;
Tan, R.B.
;
Zeng, C.H.
;
Xue, W.
;
Qin, H.
;
Zhang, B.S.
;
Wu, D.M.,
;
Wu, D. M.(dmwu2008@sinano.ac.cn)
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提交时间:2012/06/13
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
Area
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Sun YW (Sun Y. W.)
;
Yang XJ (Yang X. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqma@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11