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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Chen, Zhaolong
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Xie, Chunyu
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Wang, Wendong
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Zhao, Jinpei
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Liu, Bingyao
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Shan, Jingyuan
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Wang, Xueyan
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Hong, Min
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Lin, Li
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Huang, Li
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Zhang, Yanfeng
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Gao, Peng
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Novoselov, Kostya S.
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Sun, Jingyu
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Liu, Zhongfan
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期刊论文
作者:
X. F. Liu
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z G. G. Yan
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Z. W. Shen
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Z. X.Wen
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L. X. Tian
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W. S. Zhao
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L. Wang
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M. Guan
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F. Zhang
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G. S. Sun
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Y. P. Zeng
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期刊论文
作者:
X. L. HU
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L. B. SUN
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BEIBEI ZENG
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L. S. WANG
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Z. G. YU
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S. M. YANG
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Q. LI
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M. QIU
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R. Z. TAI
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H. J. FECHT
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J. Z. JIANG
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提交时间:2017/03/16
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期刊论文
作者:
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
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K. Ding
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X. M. Dou
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G. W. Zha
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H. Q. Ni
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Z. C. Niu
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H. J. Zhu
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D. S. Jiang
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C. L. Zhao
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B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
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期刊论文
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09
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期刊论文
作者:
G.-B. Zhu, Q. Sun, Y.-Y. Zhang, K. S. Chan, W.-M. Liu, and A.-C. Ji
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提交时间:2014/03/26
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期刊论文
作者:
Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang
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提交时间:2014/04/30
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期刊论文
作者:
Zhang SG (Zhang S. G.)
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Zhang XW (Zhang X. W.)
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Yin ZG (Yin Z. G.)
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Wang JX (Wang J. X.)
;
Dong JJ (Dong J. J.)
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Gao HL (Gao H. L.)
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Si FT (Si F. T.)
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Sun SS (Sun S. S.)
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Tao Y (Tao Y.)
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提交时间:2012/02/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, Z (Sun, Zheng)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Ji, Y (Ji, Yang)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Wang, BR (Wang, B. R.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide