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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
X. L. HU
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L. B. SUN
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BEIBEI ZENG
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L. S. WANG
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Z. G. YU
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S. A. BAI
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Q. LI
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H. J. FECHT
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J. Z. JIANG
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D. X. ZHANG
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提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
P. Y. Zhou
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X. F. Wu
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K. Ding
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X. M. Dou
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G. W. Zha
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H. Q. Ni
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Z. C. Niu
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H. J. Zhu
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D. S. Jiang
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C. L. Zhao
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B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, Z (Sun, Zheng)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Ji, Y (Ji, Yang)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Wang, BR (Wang, B. R.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
;
ji_ym@mail.sic.ac.cn
;
zyxu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation
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期刊论文
作者:
黄辉
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王兴妍
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任晓敏
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孙增辉
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提交时间:2010/11/23