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无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. Luo;  H.M. Ji;  F. Gao;  F. Xu;  X.G. Yang;  P. Liang;  T. Yang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. A. Tarasenko;  M. V. Durnev;  M. O. Nestoklon;  E. L. Ivchenko;  Jun-Wei Luo;  Alex Zunger
Adobe PDF(496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/1  |  提交时间：2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  F. Gao;  S. Luo;  H.M. Ji;  X.G. Yang;  P. Liang;  T. Yang
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MOCVD 生长 InAs/InP 自组织量子点材料及激光器应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  罗帅
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Ning, J (Ning, J.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Li, JM (Li, J. M.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxy  4h-sic  Multi-epilayer  Uv Detection  p(+)-pi-n(-)  Ultraviolet Photodetector  Epitaxial-growth  
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Ning, J (Ning, J.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Avalanche Photodiodes  Area  
生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
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制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  罗帅;  季海铭;  杨涛
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锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
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