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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
作者
张明兰 [3]
侯奇峰 [2]
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会议论文 [3]
期刊论文 [3]
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2009 [2]
2008 [3]
2006 [1]
语种
英语 [6]
出处
2008 9TH I... [2]
JOURNAL OF... [1]
Physica St... [1]
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期刊论文
作者:
Zhang ML
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Tang J
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Hu GX
;
Ran JX
;
Wang MG
;
Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Tang J
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Jiang LJ
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, XB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
;
Yin, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aln
Impurities
Donor