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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:
齐爱谊
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浏览/下载:2304/54
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提交时间:2014/06/11
光子晶体
慢光效应
Linbo3
感应耦合等离子体刻蚀
半导体光放大器
带边模
面发射激光器
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, L
;
Qu, HW
;
Wang, YF
;
Ma, CL
;
Qi, AY
;
Zhang, S
;
Zheng, WH
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浏览/下载:437/39
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma, CL
;
Wang, YF
;
Liu, L
;
Fan, XD
;
Qi, AY
;
Feng, ZG
;
Yang, F
;
Peng, QJ
;
Xu, ZY
;
Zheng, WH
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浏览/下载:426/76
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, YF
;
Fu, FY
;
Jiang, B
;
Qi, AY
;
Xue, QK
;
Zheng, WH
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浏览/下载:1024/235
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng WH (Zheng Wanhua)
;
Zhou WJ (Zhou Wenjun)
;
Wang YF (Wang Yufei)
;
Liu AJ (Liu Anjin)
;
Chen W (Chen Wei)
;
Wang HL (Wang Hailing)
;
Fu FY (Fu Feiya)
;
Qi AY (Qi Aiyi)
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浏览/下载:1156/312
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提交时间:2012/02/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YJ
;
Zheng WH
;
Qi AY
;
Qu HW
;
Chen LH
;
Zhang, YJ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, yjzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1038/219
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提交时间:2012/02/06
一种制备铌酸锂表面图形的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304767A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
齐爱谊
;
王海玲
;
渠红伟
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浏览/下载:1193/292
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提交时间:2012/09/09
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
范学东
;
马传龙
;
马绍栋
;
齐爱谊
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浏览/下载:1483/304
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提交时间:2012/09/09
一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
马绍栋
;
齐爱谊
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浏览/下载:1481/250
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提交时间:2012/09/09
适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
郑婉华
;
张斯日古楞
;
王宇飞
;
齐爱谊
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提交时间:2016/09/22