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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang, SH;  Zhang, TT;  Barate, P;  Frougier, J;  Vidal, M;  Renucci, P;  Xu, B;  Jaffres, H;  George, JM;  Devaux, X;  Hehn, M;  Marie, X;  Mangin, S;  Yang, HX;  Hallal, A;  Chshiev, M;  Amand, T;  Liu, HF;  Liu, DP;  Han, XF;  Wang, ZG;  Lu, Y
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, L;  Wei, XC;  Liu, NX;  Lu, HX;  Zeng, JP;  Wang, JX;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhang, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,zhanglian07@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei Tongbo);  Wang JX (Wang Junxi);  Liu NX (Liu Naixin);  Lu HX (Lu Hongxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Wang GH (Wang Guohong);  Li JM (Li Jinmin);  Wei, TB, Chinese AcadSci, InstSemicond, Semicond Lighting Technol Res &DevCtr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Meng XQ;  Qiao HX;  Xie RH;  Liu W Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China.
Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：971/237  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘蕾;  鲁华祥
Adobe PDF(202Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：783/312  |  提交时间：2010/11/23
用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, GQ;  Zeng, YP;  Wang, XL;  Liu, HX;  Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
Adobe PDF(642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1209/276  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1420/227  |  提交时间：2009/06/11