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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Cao, ZF
;
Lin, ZJ
;
Lu, YJ
;
Luan, CB
;
Yu, YX
;
Chen, H
;
Wang, ZG
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提交时间:2013/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/03/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu YJ (Lu Yuan-Jie)
;
Lin ZJ (Lin Zhao-Jun)
;
Yu YX (Yu Ying-Xia)
;
Meng LG (Meng Ling-Guo)
;
Cao ZF (Cao Zhi-Fang)
;
Luan CB (Luan Chong-Biao)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Feng ZH (Feng, Zhihong)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Feng ZH (Feng, Zhihong)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Meng LG
;
Yu YX
;
Luan CB
;
Cao ZF
;
Chen H
;
Sun BQ
;
Wang ZG
;
Lin, ZJ (reprint author), Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China, linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:1051/390
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王建林
;
刘忠立
;
王良臣
;
曾一平
;
杨富华
;
白云霞
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提交时间:2010/11/23
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄大定
;
李建平
;
高斐
;
林燕霞
;
孙殿照
;
刘金平
;
朱世荣
;
孔梅影
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浏览/下载:1627/223
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提交时间:2009/06/11
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)
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浏览/下载:1888/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)
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提交时间:2010/08/12