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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hou, QF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, XH;  Zhang, XB;  Li, MP;  Li, JM;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.en
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Song SF;  Xu ZJ;  Liao XB;  Li GH;  Bian LF;  Ding K;  Chen, CY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Song SF;  Xu ZJ;  Liao XB;  Li GH;  Ding K;  Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  He J;  Ma ZX;  Yue GZ;  Shen SR;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F;  Wang YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  Crystallization  Transistors  
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Stress  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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Gallium Nitride  Gas Source Molecular Beam Epitaxy  Hydrogen  Autodoping  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Diao HW;  He J;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Solid State Phys Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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