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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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量子阱子带间跃迁及相关物理特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  李杰民
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ (Wu Jiejun);  Han XX (Han Xiuxun);  Li JM (Li Jiemin);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Cong GW (Cong Guangwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Jia QJ (Jia Quanjie);  Guo LP (Guo Liping);  Hu TD (Hu Tiandou);  Wang HH (Wang Huanhua);  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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