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未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  李琼
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Inas/gasb二类超晶格  红外探测器  暗电流  中波  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiaolu Guo, Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Kai Cui, Yulian Cao and Qiong Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, Xiaolu;  Ma, Wenquan;  Huang, Jianliang;  Zhang, Yanhua;  Wei, Yang;  Cui, Kai;  Cao, Yulian;  Li, Qiong
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1001/201  |  提交时间：2013/10/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui, Kai;  Ma, Wenquan;  Zhang, Yanhua;  Huang, Jianliang;  Wei, Yang;  Cao, Yulian;  Guo, Xiaolu;  Li, Qiong
Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/208  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li W (Li Wei);  Zhu NH (Zhu Ning-Hua);  Wang LX (Wang Li-Xian);  Liu JG (Liu Jian-Guo);  Qi XQ (Qi Xiao-Qiong);  Xie LA (Xie Liang);  Li, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liwei05@semi.ac.cn
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1289/321  |  提交时间：2010/11/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈维德;  李秀琼;  段俐宏;  谢小龙
Adobe PDF(254Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：689/153  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李秀琼;  卢励吾;  陈维德
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一种半导体的掺杂技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1991-11-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李秀琼;  王培大;  马祥彬;  孙惠玲;  王纯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李秀琼;  王培大;  马祥彬;  王纯
Adobe PDF(78Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：771/202  |  提交时间：2010/11/23
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇;  刘素平
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