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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Li, HJ
;
Liu, CB
;
Liu, GP
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Wang, JX
;
Zhang, H
;
Jin, DD
;
Feng, YX
;
Yang, SY
;
Wang, LS
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jin, DD
;
Wang, LS
;
Yang, SY
;
Zhang, LW
;
Li, HJ
;
Zhang, H
;
Wang, JX
;
Xiang, RF
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, H
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Wang, JX
;
Jin, DD
;
Li, HJ
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/05/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, J
;
Wang, XF
;
Wang, XW
;
Chen, D
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Chen, XY
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Li, DD
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Shen, GZ
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提交时间:2015/08/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li HJ (Li, Huijie)
;
Liu XL (Liu, Xianglin)
;
Wang JX (Wang, Jianxia)
;
Jin DD (Jin, Dongdong)
;
Zhang H (Zhang, Heng)
;
Yang SY (Yang, Shaoyan)
;
Liu SM (Liu, Shuman)
;
Mao W (Mao, Wei)
;
Hao Y (Hao, Yue)
;
Zhu QS (Zhu, QinSheng)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Liu C
;
Gao, F, Shaanxi Normal Univ, Coll Phys & Informat Technol, Xian 710062, Peoples R China. 电子邮箱地址: feigao@snnu.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄大定
;
刘超
;
李建平
;
高斐
;
孙殿照
;
朱世荣
;
孔梅影
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提交时间:2010/11/23
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄大定
;
李建平
;
高斐
;
林燕霞
;
孙殿照
;
刘金平
;
朱世荣
;
孔梅影
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提交时间:2009/06/11
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1887/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F,Shaanxi Normal Univ,Dept Phys,Xian 710062,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12