已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 康亭亭; 刘祥林 Adobe PDF(735Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1267/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种高质量InN薄膜的获取方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张日清; 康亭亭; 刘祥林 Adobe PDF(263Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1182/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种高效率深紫外发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 康亭亭; 刘祥林 Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1087/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种近场光学增强型可见光探测器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 康亭亭; 刘祥林 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang RQ (Zhang Riqing); Zhang PF (Zhang Panfeng); Kang TT (Kang Tingting); Fan HB (Fan Haibo); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Wei HY (Wei Hongyuan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang, Zhanguo); Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn; xlliu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1304/477  |  提交时间:2010/03/29 |
| 氮化铟纳米结构的生长与低维结构中集体激发的理论研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 康亭亭 Adobe PDF(4008Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1070/24  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:909/278  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 魏宏远; 康亭亭; 王晓晖; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1390/438  |  提交时间:2010/11/23 |