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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  闫俊达
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氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Junda Yan;  Quan Wang;  Xiaoliang Wang;  Chun Feng;  Hongling Xiao;  Shiming Liu;  Jiamin Gong;  Fengqi Liu;  Baiquan Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Li;  Quan Wang;  Xiangmi Zhan;  Junda Yan;  Lijuan Jiang;  Haibo Yin;  Jiamin Gong;  Xiaoliang Wang;  Fengqi Liu;  Baiquan Li;  Zhanguo Wang
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一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
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