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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou, Q;  Belle, BD;  Zhang, LZ;  Xiao, WD;  Yang, K;  Liu, LW;  Wang, GQ;  Fei, XM;  Huang, Y;  Ma, RS;  Lu, Y;  Tan, PH;  Guo, HM;  Du, SX;  Gao, HJ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui M;  Zhou TF;  Wang MR;  Huang J;  Huang HJ;  Zhang JP;  Xu K;  Yang H;  Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, tfzhou2007@sinano.ac.cn;  kxu2006@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang X;  Pei WH;  Huang BJ;  Wang SJ;  Guan N;  Guo K;  Wang Y;  Gui Q;  Chen J;  Wang K;  Wu HJ;  Li XX;  Li K;  Chen HD;  Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. zhangxu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Wang JF;  Gong XJ;  Huang J;  Xu K;  Zhou TF;  Zhong HJ;  Qiu YX;  Cai DM;  Ren GQ;  Yang H;  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China. kxu2006@sinano.ac.cn
Adobe PDF(1662Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1654/361  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang W (Wang Wei);  Huang BJ (Huang Bei-Ju);  Dong Z (Dong Zan);  Liu HJ (Liu Hai-Jun);  Zhang X (Zhang Xu);  Guan N (Guan Ning);  Chen J (Chen Jin);  Guo WL (Guo Wei-Lian);  Niu PJ (Niu Ping-Juan);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Wang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangweiww33@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈少武;  余金中;  徐学俊;  黄庆忠;  余和军;  屠晓光;  李运涛
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双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  黄北举;  刘海军;  顾明
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三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  黄北举;  刘金彬;  顾明;  刘海军
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CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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