SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共19条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei);  Liao H (Liao Hua);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Hao, RT, Yunnan Normal Univ, Inst Solar Energy, Key Lab Renewable Energy Adv Mat & Mfg Technol, Educ Minist, Kunming 650092, Yunnan Province, Peoples R China. ruitinghao@semi.ac.cn
Adobe PDF(791Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1437/514  |  提交时间:2010/12/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郝瑞亭;  申兰先;  邓书康;  杨培志;  涂洁磊;  廖华;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1289/481  |  提交时间:2011/08/04
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1752/287  |  提交时间:2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1649/257  |  提交时间:2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo J;  Peng ZY;  Lu ZX;  Sun WG;  Hao RT;  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Niu ZC;  Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/346  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang B;  Xu YQ;  Zhou ZQ;  Hao RT;  Wang GW;  Ren ZW;  Niu ZC;  Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1247/374  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Hao RT;  Tang B;  Ren ZW;  Niu ZC;  Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1100/306  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo J;  Chen HJ;  Sun WG;  Hao RT;  Xu YQ;  Niu ZC;  Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 610000 Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
Adobe PDF(751Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:996/311  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1696/492  |  提交时间:2010/11/23
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1455/190  |  提交时间:2009/06/11