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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈少武 ; 余金中; 徐学俊; 黄庆忠; 余和军; 屠晓光; 李运涛
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| 光波导传输损耗的测量方法和测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 余和军; 李智勇; 陈少武; 余金中
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| SOI 光子晶体及其光子器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 余和军
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| 短小光波导芯片的测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 余和军; 余金中; 邢波
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| 一种基于SOI的光子晶体分束器及制法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 余和军; 余金中; 陈少武
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| 一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 余和军; 余金中; 陈少武
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 余和军; 夏金松; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邱海军; 刘育梁; 李芳; 贺月娇; 田珂珂; 辛红丽
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| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ; Yang JL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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