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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Gui-Juan;  Yang, Shao-Yan;  Liu, Gui-Peng;  Liu, Chang-Bo;  Sang, Ling;  Gu, Cheng-Yan;  Liu, Xiang-Lin;  Wei, Hong-Yuan;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
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Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  谷承艳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sang, Ling;  Yang, Shao Yan;  Liu, Gui Peng;  Zhao, Gui Juan;  Liu, Chang Bo;  Gu, Cheng Yan;  Wei, Hong Yuan;  Liu, Xiang Lin;  Zhu, Qin Sheng;  Wang, Zhan Guo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ling Sang, Shao Yan Yang, Gui Peng Liu, Gui Juan Zhao, Chang Bo Liu, Cheng Yan Gu, Hong Yuan Wei,
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu, Cheng-Yan;  Liu, Gui-Peng;  Shi, Kai;  Song, Ya-Feng;  Li, Cheng-Ming;  Liu, Xiang-Lin;  Yang, Shao-Yan;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu CY (Gu Cheng-Yan);  Liu GP (Liu Gui-Peng);  Shi K (Shi Kai);  Song YF (Song Ya-Feng);  Li CM (Li Cheng-Ming);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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